TEXAS INSTRUMENTS

Garantire eccellenti prestazioni termiche

A integrazione della gamma NexFET l'azienda ha presentato 14 MOSFET di potenza in package TO-220 e SON per tensioni in ingresso da 40 V a 100 V.
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A integrazione della gamma NexFET, Texas Instruments (TI) ha presentato 14 MOSFET di potenza in package TO-220 e SON per tensioni in ingresso da 40 V a 100 V. I NexFET ad alta efficienza comprendono dispositivi a canale N da 40, 60, 80 e 100 V che hanno l’obiettivo di garantire eccellenti prestazioni termiche in un’ampia gamma di applicazioni per l’alimentazione e il controllo di motori ad alta corrente. Per ordinare campioni e visualizzare la lista completa dei prodotti, si consiglia il seguente link: http://www.ti.com/mvnexfet-pr-eu.   

 Due dei nuovi dispositivi NexFET da 80 V e 100 V offrono la minima resistenza attualmente raggiungibile in un package TO-220 senza sacrificare il livello di carica sul gate, assicurando in questo modo ai progettisti un’efficienza superiore di conversione della potenza in presenza di correnti più alte. Il modello CSD19506 supporta 2,0 milliohm di Rds(on) con una tensione in ingresso fino a 80 V, mentre il CSD19536 arriva a 2,3 milliohm di Rds(on) con un ingresso di 100 V. Entrambi i prodotti hanno package in plastica con effetto valanga elevato per supportare applicazioni di controllo motori con forti sollecitazioni. I progettisti possono scegliere facilmente i nuovi prodotti e simulare i progetti accedendo al  sistema WEBENCH online design tool di TI.

 TI ha presentato anche diversi moduli di valutazione basati sui prodotti NexFET da 60 V, tutti già disponibili per ordini sul TI eStore:

·         Pre-azionamento per motore passo-passo:il modulo di valutazione DRV8711EVM è basato sul controller per motori passo-passo DRV8711 abbinato ai dispositivi NexFET per azionare un motore passo-passo bipolare ad alta corrente o due motori CC a spazzole.

·         Motor Drive BoosterPack: il kit BOOSTXL-DRV8301 è uno stadio di azionamento CC brushless trifase a 10 A basato sul pre-azionamento DRV8301, progettato per chi sta studiando le tecniche di controllo brushless senza sensori e la progettazione dello stadio di azionamento.

·         Potenza digitale: il modulo UCD3138PSFBEVM-027 consente agli sviluppatori di progettare un’applicazione di convertitore di potenza a 12 V, 360 W, con spostamento di fase offline e controllo digitale.

·         Controllo del punto di carica: la scheda di valutazione TPS40170EVM-597 monta i controller step-down sincroni TPS40170 di TI con due dispositivi NexFET.

La tecnologia dei MOSFET di potenza NexFET migliora l’efficienza energetica nelle applicazioni di calcolo ad alta capacità, networking, apparecchiature industriali e alimentatori. Questi MOSFET di potenza analogici ad alta frequenza e alta efficienza sono stati studiati per garantire ai progettisti le soluzioni più avanzate attualmente disponibili per la conversione di potenza CC/CC.

I dispositivi a canale N CSD19506KCS e CSD19536KCS sono disponibili in volume tramite TI e la sua rete mondiale di distributori autorizzati.

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